目前天津理工大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院暫未公布半導(dǎo)體物理考研大綱，為了幫助考生們備考，小編為大家整理出23年天津理工大學(xué)821半導(dǎo)體物理考研大綱信息，有意向報(bào)考天津理工大學(xué)的同學(xué)們快來看看吧！希望能為大家備考提供參考。
天津理工大學(xué)821半導(dǎo)體物理考研大綱公布
　　一、考試方式
　　考試采用筆試方式，考試時(shí)間為180分鐘，試卷滿分為150分。
　　二、試卷結(jié)構(gòu)與分?jǐn)?shù)比重
　　試題分為名詞解釋、簡答題、證明題、計(jì)算題、論述題等。其中：名詞解釋占20%，簡答題占30%，證明題占10%，計(jì)算題占10%，論述題占30%。
　　三、考查的知識(shí)范圍
　　1．半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)（10％）：能帶論，半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)、有效質(zhì)量，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結(jié)構(gòu)。
　　2．載流子的統(tǒng)計(jì)分布（15％）：狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體的載流子濃度，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度。一般情況下的載流子的統(tǒng)計(jì)分布。
　　3．半導(dǎo)體的導(dǎo)電性（15％）：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，玻爾茲曼方程；強(qiáng)電場效應(yīng)，熱載流子。
　　4．非平衡載流子（20％）：非平衡載流子的注人與復(fù)合，非平衡載流子的壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、連續(xù)性方程。
　　5．PN結(jié)（15％）：PN結(jié)及其能帶圖，PN結(jié)電流電壓特性。
　　6．金屬和半導(dǎo)體的接觸（10％）：金屬和半導(dǎo)體接觸的整流理論，少數(shù)載流子的注入，歐姆接觸。
　　7．半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)（15％）：表面電場效應(yīng)，理想與非理想的MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性，Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)，表面電導(dǎo)。
　　四、參考書目
　　《半導(dǎo)體物理學(xué)》（第7版），劉恩科主編，電子工業(yè)出版社
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