哈爾濱理工大學(xué)的823半導(dǎo)體物理與集成電路基礎(chǔ)是085400電子信息03集成電路工程方向的重點(diǎn)專業(yè)考察科目。各位23打算報(bào)考該方向的考生在備考時(shí)可以借助其考試大綱了解備考方向與重點(diǎn)。這里高頓小編已經(jīng)為大家整理好了其823考試大綱的內(nèi)容，各位23考研人快來(lái)一起看看吧~
哈爾濱理工大學(xué)823考研考試大綱
　　哈爾濱理工大學(xué)823半導(dǎo)體物理與集成電路基礎(chǔ)具體考察安排如下：
　　一、《半導(dǎo)體物理》部分
　　一）參考書目：
　　《半導(dǎo)體物理學(xué)》（第四版）劉恩科，國(guó)防工業(yè)出版社，2010年1月
　　二）考試目的與要求
　　考察考生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎(chǔ)知識(shí)解決電子科學(xué)與技術(shù)相關(guān)問(wèn)題的能力。要求考生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理中基本定律的推導(dǎo)、證明和應(yīng)用，并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
　　三）試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）
　　題型比例：1．名詞解釋，約20分2．簡(jiǎn)答題，約20分3．計(jì)算題，約20分4．分析論述題，約15分
　　四）考試內(nèi)容與要求
　?。ㄒ唬┌雽?dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)
　　考試內(nèi)容：半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，能帶，半導(dǎo)體中的共有化運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
　　考試要求：1．理解半導(dǎo)體的共有化運(yùn)動(dòng)、能帶、布里淵區(qū)、有效質(zhì)量的基本概念。2．理解本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，理解空穴的概念。3．理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)，掌握有效質(zhì)量的計(jì)算方法。
　?。ǘ┌雽?dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
　　考試內(nèi)容：半導(dǎo)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)、點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)。
　　考試要求：1．理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級(jí)、受主雜質(zhì)、受主能級(jí)的概念。2．理解點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)的概念及機(jī)制。
　?。ㄈ┌雽?dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　考試內(nèi)容：狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體的載流子濃度，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。
　　考試要求：1．理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。2．理解并熟練掌握費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布。3．理解并熟練掌握本征半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。4．理解并熟練掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。5．理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。6．理解并熟練掌握簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的概念，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度的表示方法，簡(jiǎn)并化條件。了解禁帶變窄效應(yīng)。
　　（四）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
　　考試內(nèi)容：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)，熱載流子。
　　考試要求：1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。2．理解并熟練掌握遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系。3．了解強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)和熱載流子的概念。
　?。ㄎ澹┓瞧胶廨d流子
　　考試內(nèi)容：非平衡載流子的注入與復(fù)合，非平衡載流子的壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，連續(xù)性方程式。
　　考試要求：1．理解非平衡載流子的注入與復(fù)合、非平衡載流子的壽命、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的概念。
　　2．了解復(fù)合理論，理解直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合、俄歇復(fù)合的概念。3．理解并熟練掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng)。4．理解并熟練掌握連續(xù)性方程式。
　?。﹑-n結(jié)
　　考試內(nèi)容：p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容，p-n結(jié)擊穿，p-n結(jié)隧道效應(yīng)。
　　考試要求：1．理解并掌握p-n結(jié)及其能帶圖。2．理解并掌握p-n結(jié)電流電壓特性。3．理解p-n結(jié)電容的概念、電容表達(dá)式。4．理解雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿的概念。5．了解p-n結(jié)隧道效應(yīng)。
　?。ㄆ撸┙饘俸桶雽?dǎo)體的接觸
　　考試內(nèi)容：金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖，金屬半導(dǎo)體接觸整流理論。
　　考試要求：1．了解金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖。2．理解功函數(shù)、接觸電勢(shì)差的概念，包括公式、能帶示意圖。
　?。ò耍┌雽?dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
　　考試內(nèi)容：空間電荷層及表面勢(shì)，理想MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性，金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差對(duì)MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響。
　　考試要求：1．理解表面電場(chǎng)效應(yīng)，空間電荷層及表面勢(shì)的概念。2．理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場(chǎng)、電勢(shì)和電容的關(guān)系。3．理解并熟練掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，并能靈活運(yùn)用。
　　二、《集成電路基礎(chǔ)》部分
　　一）參考書目：
　　《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第六版）閆石，高等教育出版社，2016年4月
　　《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第五版）童詩(shī)白，高等教育出版社，2015年7月
　　二）考試目的與要求
　　考察學(xué)生對(duì)數(shù)字電路和模擬電路基本概念、分析及設(shè)計(jì)方法的掌握程度和用基本方法分析設(shè)計(jì)常用的數(shù)字電路與典型的模擬電路結(jié)構(gòu)的能力。
　　三）試卷結(jié)構(gòu)（滿分75分）
　　題型比例：1．簡(jiǎn)答題，20分2．計(jì)算題，25分3．設(shè)計(jì)題，30分
　　四）考試內(nèi)容與要求
　　（一）邏輯代數(shù)基礎(chǔ)
　　考試內(nèi)容：邏輯函數(shù)表示方法、邏輯函數(shù)化簡(jiǎn)
　　考試要求：1．理解邏輯函數(shù)表示方法及不同表示形式之間相互轉(zhuǎn)換。2．掌握邏輯函數(shù)卡諾圖化簡(jiǎn)。
　?。ǘ┙M合邏輯電路
　　考試內(nèi)容：組合電路分析與設(shè)計(jì)、常用組合邏輯電路及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
　　考試要求：1．掌握組合邏輯電路分析與設(shè)計(jì)方法。2．掌握常用組合邏輯電路功能與設(shè)計(jì)方法
　?。ㄈ┯|發(fā)器
　　考試內(nèi)容：SR鎖存器、不同觸發(fā)方式的觸發(fā)器、常見觸發(fā)器
　　考試要求：1．掌握電平、主從、邊沿觸發(fā)器的電路結(jié)構(gòu)。2．掌握分析各種觸發(fā)器時(shí)序分析。
　?。ㄋ模r(shí)序邏輯電路
　　考試內(nèi)容：時(shí)序邏輯電路分析、時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)
　　考試要求：1．理解時(shí)序邏輯電路分析方法2．掌握時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)方法
　?。ㄎ澹┗痉糯箅娐?/div>
　　考試內(nèi)容：放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)、單管共發(fā)射極放大電路設(shè)計(jì)與分析。
　　考試要求：1．了解放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)。2．掌握單管共發(fā)射極放大電路原理，并能進(jìn)行設(shè)計(jì)與分析。
　?。┘蛇\(yùn)放
　　考試內(nèi)容：集成運(yùn)放的電路結(jié)構(gòu)、性能指標(biāo)估算
　　考試要求：1．掌握差分輸入級(jí)、偏置電路、輸出級(jí)典型電路結(jié)構(gòu)。2．掌握一般運(yùn)算放大器性能指標(biāo)估算。
　?。ㄆ撸┲绷麟娫?/div>
　　考試內(nèi)容：直流電源電路組成結(jié)構(gòu)、單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路
　　考斯要求：1．了解直流電源電路結(jié)構(gòu)及性能指標(biāo)計(jì)算。2．掌握單相整流電路、濾波電路、硅穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)方法。
　　以上就是有關(guān)哈爾濱理工大學(xué)考研823半導(dǎo)體物理與集成電路基礎(chǔ)考試大綱的相關(guān)介紹，相信對(duì)于各位23考研人的報(bào)考備考可作一定參考。如果想要了解更多考研院校、考研專業(yè)信息，歡迎前往高頓考研頻道！等你呦~（悄悄告訴大家點(diǎn)擊下方圖片可以免費(fèi)獲得考研各科備考資料哦~）


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