目前，南京郵電大學(xué)2024年820半導(dǎo)體物理考研大綱已發(fā)布！考研大綱可以幫助同學(xué)們調(diào)整和明確復(fù)習(xí)方向，為專業(yè)課復(fù)習(xí)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，因此小編為大家整理了2024南京郵電大學(xué)820半導(dǎo)體物理考研大綱的詳細(xì)內(nèi)容，有需要的同學(xué)快來看看吧！
南京郵電大學(xué)820半導(dǎo)體物理考研大綱
　　一、南京郵電大學(xué)820半導(dǎo)體物理基本要求
　　《半導(dǎo)體物理》碩士研究生入學(xué)考試內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計(jì)算；考試命題注重測(cè)試考生對(duì)相關(guān)的物理基本概念的理解、對(duì)基本問題的分析和應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)物理概念的清晰和對(duì)半導(dǎo)體物理問題的綜合分析。
　　二、南京郵電大學(xué)820半導(dǎo)體物理考試范圍
　　1、半導(dǎo)體中電子狀態(tài)
　　1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
　　1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
　　1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量
　　1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴
　　1.5回旋共振
　　1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)
　　2、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
　　2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
　　2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)
　　2.3缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
　　3、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　3.1狀態(tài)密度
　　3.2費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　3.3本征半導(dǎo)體的載流子濃度
　　3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
　　3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
　　3.6簡并半導(dǎo)體
　　4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
　　4.1載流子的漂移運(yùn)動(dòng)遷移率
　　4.2載流子的散射
　　4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　　4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　　4.5玻耳茲曼方程電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論
　　4.6強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)熱載流子
　　5、非平衡載流子
　　5.1非平衡載流子的注入和復(fù)合
　　5.2非平衡載流子的壽命
　　5.3準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
　　5.4復(fù)合理論
　　5.5陷阱效應(yīng)
　　5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
　　5.7載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛因斯坦關(guān)系式
　　5.8連續(xù)性方程
　　6、p-n結(jié)
　　6.1 p-n結(jié)及其能帶圖
　　6.2 p-n結(jié)電流電壓特性
　　6.3 p-n結(jié)電容
　　6.4 p-n結(jié)擊穿
　　7、金屬和半導(dǎo)體接觸
　　7.1金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖
　　7.2肖特基勢(shì)壘二極管
　　8、半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
　　8.1表面電場(chǎng)效應(yīng)
　　內(nèi)容來源：南京郵電大學(xué)研招院官網(wǎng)
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