24北京信息科技大學810半導體物理考研大綱已出！該科目考試大綱包含考試要求、題型結(jié)構(gòu)和考試內(nèi)容，為了方便同學們復習，高頓小編給大家整理了官方發(fā)布的詳細內(nèi)容，具體如下：
北京信息科技大學810半導體物理考研大綱
　　一、考試基本要求及適用范圍概述
　　本大綱適用于0809電子科學與技術(shù)專業(yè)、085403集成電路工程碩士研究生。重點考察考生對于半導體物理、半導體器件相關(guān)知識的準確理解和靈活應用能力。
　　二、題型結(jié)構(gòu)
　　填空題、判斷題、選擇題、簡答題、計算題、綜合題。
　　三、考試內(nèi)容
　　第一章半導體中電子的狀態(tài)及雜質(zhì)和缺陷能級
　　掌握半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，半導體中的電子狀態(tài)和能帶，半導體中電子的運動，本征半導體的導電機構(gòu)等方面的內(nèi)容。掌握硅、鍺、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的雜質(zhì)能級，缺陷和位錯的能級等方面的內(nèi)容。
　　第二章半導體中載流子的統(tǒng)計分布
　　掌握狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質(zhì)半導體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計分布，簡并半導體等方面的內(nèi)容。
　　第三章半導體的導電性及非平衡載流子
　　掌握載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強電場下的效應等方面的內(nèi)容。掌握非平衡載流子的注入與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散方程，載流子的漂移運動，愛因斯坦關(guān)系式，連續(xù)性方程，硅的少數(shù)載流子壽命與擴散長度等方面的內(nèi)容。
　　第四章PN結(jié)
　　理解PN結(jié)的平衡狀態(tài)，能描述平衡狀態(tài)下PN結(jié)的耗盡區(qū)電場分布、載流子分布，掌握PN結(jié)形成過程；掌握正向/反向偏置情況下PN結(jié)內(nèi)部狀態(tài)變化，會推導PN結(jié)直流IV特性方程；了解大注入/小注入特性，掌握PN結(jié)的擊穿現(xiàn)象及其產(chǎn)生機理；掌握PN結(jié)的AC小信號特性，并能分析勢壘電容與擴散電容的形成機理及二者的區(qū)別。
　　第五章半導體器件三大方程(僅限085403集成電路工程專業(yè))
　　掌握泊松方程、輸運方程、連續(xù)性方程的內(nèi)容及表達式，掌握泊松方程、輸運方程、連續(xù)性方程的積分形式及一維簡化形式。
　　第六章雙極結(jié)型晶體管(僅限085403集成電路工程專業(yè))
　　掌握雙極晶體管效應、晶體管的直流電流放大系數(shù)、緩變基區(qū)晶體管等基本定義；掌握雙極結(jié)型晶體管在不同輸入電壓下的各種工作狀態(tài)及其對應內(nèi)部電場、能級等的變化；會推導不同偏置電壓下，雙極結(jié)型晶體管的直流IV方程并了解雙極結(jié)型晶體管的基本設計參數(shù)；了解雙極結(jié)型晶體管的基極電阻構(gòu)成及開關(guān)特性；掌握雙極結(jié)型晶體管的電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系，會推導小信號IV方程與等效電路。
　　第七章金屬氧化物半導體場效應晶體管(僅限085403集成電路工程專業(yè))
　　掌握金屬-絕緣體-半導體結(jié)構(gòu)的能帶變化，并能推導閾值電壓的基本組成；能夠根據(jù)柵源、柵漏輸入電壓的變化判斷晶體管的工作狀態(tài)，給出其對應電流電壓方程；掌握金屬氧化物半導體場效應晶體管的轉(zhuǎn)移特性、輸出特性，并能理解晶體管不同工作狀態(tài)對應的電流電壓方程；理解金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵電容組成，并能給出對應模型；掌握金屬氧化物半導體場效應晶體管的襯底偏置效應、亞閾值導電等高階效應，了解相關(guān)效應對器件IV特性的影響。
　　第八章金半接觸與MIS結(jié)構(gòu)(僅限0809電子科學與技術(shù)專業(yè))
　　掌握金屬半導體接觸及其能帶圖。理解功函數(shù)、接觸電勢差的概念，包括公式、能帶示意圖。了解表面態(tài)對接觸勢壘的影響。掌握金屬半導體接觸整流理論，理解并熟練掌握擴散理論、熱電子發(fā)射理論、鏡像力和隧道效應的影響、肖特基二極管的概念。掌握少數(shù)載流子注入和歐姆接觸等方面的內(nèi)容。掌握表面態(tài)的概念。掌握表面電場效應、空間電荷層及表面勢的概念，包括能帶示意圖。掌握表面空間電荷層的電場、電勢和電容的關(guān)系，包括公式、示意圖。掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，包括公式、示意圖。掌握硅-二氧化硅系數(shù)的性質(zhì)，包括公式、示意圖。理解表面電導及遷移率的概念，以及表面電場對PN結(jié)特性的影響。
　　第九章異質(zhì)結(jié)(僅限0809電子科學與技術(shù)專業(yè))
　　掌握異質(zhì)結(jié)及其能帶圖，并能畫出示意圖。掌握異質(zhì)結(jié)的電流輸運機構(gòu)。理解異質(zhì)結(jié)在器件中的應用。理解半導體超晶格的概念。
　　第十章半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象(僅限0809電子科學與技術(shù)專業(yè))
　　掌握半導體的光學常數(shù)，理解折射率、吸收系數(shù)、反射系數(shù)、透射系數(shù)的概念。掌握半導體的光吸收現(xiàn)象，理解本征吸收、直接躍遷、間接躍遷的概念。掌握半導體光電導的概念。掌握半導體光生伏特效應，光電池電流電壓特性的表達式。掌握半導體發(fā)光現(xiàn)象，理解輻射躍遷、發(fā)光效率、電致發(fā)光的概念。理解半導體激光的基本原理和物理過程。理解自發(fā)輻射、受激輻射、分布反轉(zhuǎn)的概念。理解熱電效應的一般描述，半導體的溫差電動勢率，半導體的珀耳帖效應，半導體的湯姆孫效應，半導體的熱導率，半導體熱電效應的應用。掌握霍耳效應的概念和表示方法。掌握磁阻效應。理解磁光效應，量子化霍耳效應，熱磁效應，光磁電效應，壓阻效應。了解聲波和載流子的相互作用。
　　以上信息來源：北京信息科技大學研究生院。
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