2023成都信息工程大學(xué)微電子技術(shù)基礎(chǔ)考研復(fù)試大綱已出！對(duì)成都信息工程大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)碩、光電信息工程專碩感興趣的同學(xué)們是否及時(shí)掌握關(guān)鍵內(nèi)容了呢？為了幫助大家更高效地展開備考，高頓小編整理了成都信息工程大學(xué)微電子技術(shù)基礎(chǔ)2023考研復(fù)試大綱的詳細(xì)內(nèi)容，快來看看吧！
2023成都信息工程大學(xué)微電子技術(shù)基礎(chǔ)考研復(fù)試大綱
　　一、科目的總體要求
　　《微電子技術(shù)基礎(chǔ)》主要由半導(dǎo)體器件物理和集成電路工藝兩部分內(nèi)容構(gòu)成，本科目主要考察學(xué)生對(duì)《微電子技術(shù)基礎(chǔ)》基本概念、基本方法、基本理論的掌握，要求能解釋、分析并解決相關(guān)問題。
　　二、考核內(nèi)容與考核要求
　　1、半導(dǎo)體能帶基礎(chǔ)及導(dǎo)電性
　?。?）能帶的形成（了解）；
　?。?）半導(dǎo)體中的載流子（掌握）；
　?。?）三維無限晶體的能帶（理解）；
　　（4）平衡載流子濃度（掌握）；
　?。?）載流子的漂移、遷移率（理解）。
　　2、PN結(jié)
　?。?）平衡PN結(jié)能帶及參數(shù)（掌握）
　?。?）正偏、反偏PN結(jié)（理解）
　　3、雙極型晶體管
　?。?）晶體管工作原理（理解）；
　?。?）雙極型晶體管靜態(tài)特性（理解）；
　　4、MOSFET器件
　?。?）理想MOS結(jié)構(gòu)（理解）
　　（2）MOSFET基礎(chǔ)（理解）
　　5、硅片工藝
　　（1）多晶硅制備（了解）；
　?。?）單晶硅生長原理及直拉法，晶體摻雜：（掌握）；
　?。?）切片工藝（理解）。
　　6、薄膜淀積
　?。?）化學(xué)氣相淀積原理（理解）；
　?。?）化學(xué)氣相淀積工藝方法：常壓，低壓和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（理解）；
　?。?）真空蒸鍍工藝原理及蒸鍍工藝（掌握）；
　?。?）濺射工藝原理及直流，射頻和磁控濺射工藝（掌握）。
　　7、光刻與刻蝕
　?。?）基本光刻工藝流程（掌握）；
　?。?）光刻膠與曝光技術(shù)（理解）；
　?。?）濕法刻蝕與干法刻蝕（理解）；
　?。?）刻蝕技術(shù)進(jìn)展（了解）；
　　8、雜質(zhì)摻雜
　?。?）硅的熱氧化工藝與機(jī)理（掌握）；
　?。?）硅的Deal-Grove熱氧化模型（了解）；
　?。?）熱氧化生長速率與影響因素（理解）；
　?。?）擴(kuò)散機(jī)制與擴(kuò)散工藝條件及方法（理解）；
　?。?）離子注入原理與工藝流程（掌握）；
　　三、題型結(jié)構(gòu)
　　考試包含多種題型：名詞解釋、簡答題、計(jì)算題。
　　四、參考書目
　　1、《半導(dǎo)體器件物理與工藝》第3版，施敏主編，蘇州大學(xué)出版社，2014年。
　　五、其他要求
　　具體考試時(shí)間以《準(zhǔn)考證》為準(zhǔn)。
　　考生可攜帶不具編程、可存儲(chǔ)功能的普通計(jì)算器。
　　本文內(nèi)容整理于成都信息工程大學(xué)研究生處。
　　以上就是【2023成都信息工程大學(xué)微電子技術(shù)基礎(chǔ)考研復(fù)試大綱已出！】的全部內(nèi)容，如果你想要學(xué)習(xí)更多考研方面的知識(shí)，歡迎大家前往高頓考研考試頻道！
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