天津大學集成電路科學與工程綜合2023年考研復試大綱已經(jīng)發(fā)布，包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結構等重要信息，對考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了天津大學集成電路科學與工程綜合2023年考研復試大綱的詳細內容，供大家參考！
課程名稱：集成電路科學與工程綜合
一、考試的總體要求
考察學生對《半導體物理與器件》、《模擬集成電路》和《數(shù)字集成電路》等集成電路科學與工程的基本概念、基本理論知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。
二、考試內容及比例
（一）半導體物理與器件
1、半導體物理基本概念：能帶理論、載流子濃度與摻雜及溫度關系、非平衡載流子、費米能級與準費米能級、遷移率與摻雜和溫度的關系、金屬與半導體接觸理論、MIS結構；
2、半導體異質結：異質結概念及能帶圖，異質結鍺硅雙極晶體管的結構、性能特點與原因，高電子遷移率晶體管的結構、性能特點與原因；
3、半導體光學性質：半導體光吸收，半導體光電探測器，半導體太陽電池，半導體發(fā)光概念與應用，半導體激光基本原理；
4、半導體器件：半導體二極管、雙極晶體管、金屬氧化物半導體場效應晶體管的基本工作原理。
（二）模擬集成電路
1、單級放大器：共源級放大器、源跟隨器、共柵級放大器、共源共柵級放大器；
2、差動放大器：單端與差動工作方式、基本差動對定性與定量分析、共模響應；
3、電流鏡：基本電流鏡結構、共源共柵電流鏡、電流鏡大信號和小信號分析；
4、運算放大器：典型運算放電路結構、運放帶寬、增益、相位裕度、動態(tài)范圍、電源抑制比、共模抑制比等參數(shù)概念、運算放大器的頻率特性、穩(wěn)定性與頻率補償；
5、電路噪聲：噪聲的統(tǒng)計特性、噪聲類型、電路中噪聲的表示、差動對中的噪聲、噪聲帶寬；
6、反饋原理：反饋結構、反饋對負載的影響。
（二）數(shù)字集成電路
1、MOS反相器及基本邏輯單元：CMOS反相器、動態(tài)反相器、反相器鏈的延時、NMOS邏輯、偽NMOS邏輯、傳輸管邏輯、傳輸門邏輯等。
2、導線模型及寄生參數(shù)：導線的互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型、Elmore延時。
3、CMOS組合邏輯門的設計：靜態(tài)CMOS組合邏輯、動態(tài)CMOS組合邏輯、多米諾邏輯、大扇入組合邏輯的優(yōu)化技術等。
4、時序邏輯電路設計：靜態(tài)鎖存器和寄存器、動態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、施密特觸發(fā)器、非雙穩(wěn)時序電路等。
5、數(shù)字電路中的時序問題：數(shù)字系統(tǒng)的時序分類、同步設計、自定時電路、時鐘的不確定性、同步器等。
6、設計運算功能單元：數(shù)字處理器結構中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器等。
三、參考書目
1、半導體物理學，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社；
2、半導體物理與器件，美Neamen著，趙毅強等譯，電子工業(yè)出版社；
3、模擬CMOS集成電路設計，美Razavi著，陳貴燦等譯，西安交通大學出版社；
4、數(shù)字集成電路-電路、系統(tǒng)與設計，周潤德等譯，電子工業(yè)出版社。
文章來源：天津大學研究生院官網(wǎng)