2024西北工業(yè)大學(xué)882半導(dǎo)體物理與器件考研大綱最新公布！

2024西北工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院080900電子科學(xué)與技術(shù)、140100集成電路科學(xué)與工程、085401新一代電子信息技術(shù)（含量子技術(shù)等）、085403集成電路工程、085410人工智能考研業(yè)務(wù)課二考試科目進(jìn)行了調(diào)整，調(diào)整后初試科目為882半導(dǎo)體物理與器件，為此，高頓小編特意整理了其考試大綱的詳細(xì)內(nèi)容，快來(lái)看看吧！

　　一、總體要求
　　“半導(dǎo)體物理與器件”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體物理相關(guān)的基本理論知識(shí)，主要掌握的內(nèi)容包括半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、載流子的統(tǒng)計(jì)分布，非平衡載流子及載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律。通過(guò)掌握的半導(dǎo)體物理相關(guān)理論知識(shí)能夠?qū)ΤＲ?jiàn)的半導(dǎo)體器件分析基本工作機(jī)理和深層次的物理效應(yīng)，并能夠計(jì)算基本的電學(xué)特性。
　　二、考試內(nèi)容
　?。ㄒ唬┌雽?dǎo)體中的電子狀態(tài)
　　主要內(nèi)容：需要掌握半導(dǎo)體的分類及其特點(diǎn)，常見(jiàn)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)、能帶特點(diǎn)以及半導(dǎo)體中的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、半導(dǎo)體分類及半導(dǎo)體性質(zhì)
　　2、半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
　　3、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
　　4、半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)，有效質(zhì)量
　　5、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，空穴
　?。ǘ┌雽?dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
　　主要內(nèi)容：需要掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體的概念，雜質(zhì)和缺陷在半導(dǎo)體中引入的能級(jí)。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
　　2、Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)
　　3、缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
　　（三）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　主要內(nèi)容：需要掌握半導(dǎo)體的狀態(tài)密度、載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、狀態(tài)密度
　　2、費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　3、本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
　　4、一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
　　5、簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
　?。ㄋ模┌雽?dǎo)體的導(dǎo)電性
　　主要內(nèi)容：需要掌握半導(dǎo)體的漂移運(yùn)動(dòng)，載流子的散射機(jī)制，遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)與熱載流子。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和遷移率
　　2、載流子的散射
　　3、遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　　4、電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　　5、強(qiáng)場(chǎng)下的效應(yīng)、熱載流子
　?。ㄎ澹┓瞧胶廨d流子
　　主要內(nèi)容：需要掌握非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論及陷阱效應(yīng)，非平衡載流子的擴(kuò)散與漂移，愛(ài)因斯坦關(guān)系式及連續(xù)性方程。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、非平衡載流子的注入與復(fù)合
　　2、非平衡載流子的壽命
　　3、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
　　4、復(fù)合理論
　　5、載流子的擴(kuò)散
　　6、載流子的漂移
　　（六）PN結(jié)
　　主要內(nèi)容：需要掌握PN結(jié)的工作原理、能帶結(jié)構(gòu)、電流-電壓特性、電容特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性及PN結(jié)擊穿等。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、熱平衡PN結(jié)
　　2、加偏壓的PN結(jié)
　　3、理想PN結(jié)的直流電流-電壓特性
　　4、空間電荷區(qū)的復(fù)合電流和產(chǎn)生電流
　　5、隧道電流
　　6、耗盡層電容
　　（七）金屬-半導(dǎo)體結(jié)
　　主要內(nèi)容：需要掌握金半接觸形成的肖特基勢(shì)壘分析及肖特基勢(shì)壘高度的計(jì)算，影響肖特基勢(shì)壘高度的因素，肖特基二極管和PN結(jié)二極管對(duì)比，歐姆接觸。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、肖特基勢(shì)壘
　　2、肖特基勢(shì)壘二極管的結(jié)構(gòu)、電流-電壓特性
　　3、肖特基勢(shì)壘二極管和PN結(jié)二極管的比較
　　4、歐姆接觸
　?。ò耍╇p極結(jié)型晶體管
　　主要內(nèi)容：需要掌握雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)、制造、基本工作原理、電流傳輸，常見(jiàn)的雙極結(jié)型晶體管中的二級(jí)物理效應(yīng)。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)和制造工藝
　　2、雙極結(jié)型晶體管的基本工作原理
　　3、理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸
　　4、基區(qū)擴(kuò)展電阻和電流集聚效應(yīng)
　　5、基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
　?。ň牛┙饘?氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
　　主要內(nèi)容：需要掌握NOSFET的結(jié)構(gòu)、制造、基本工作原理、分類、電流-電壓特性、電容-電壓特性以及常見(jiàn)的MOSFET二級(jí)物理效應(yīng)。
　　具體考試內(nèi)容：
　　1、理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷
　　2、理想MOS電容器
　　3、溝道電導(dǎo)與閾值電壓
　　4、實(shí)際MOS的電容-電壓特性和閾值電壓
　　5、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　　6、MOSFET的等效電路和頻率響應(yīng)
　　7、MOSFET的類型
　　8、MOSFET的亞閾值區(qū)
　　9、影響MOSFET閾值電壓的因素
　　三、考試形式
　　1、考試時(shí)間：180分鐘
　　2、試卷分值：150分
　　3、考試方式：閉卷考試
　　四、參考書目
　　考試內(nèi)容中第一至五部分參考書目：劉恩科、朱秉升、羅晉生，半導(dǎo)體物理學(xué)（第7版），電子工業(yè)出版社，第一至五章
　　考試內(nèi)容中第六至九部分參考書目：孟慶巨、劉海波、孟慶輝，半導(dǎo)體器件物理（第二版），科學(xué)出版社，第二、三、四、六章
　　特別說(shuō)明：“半導(dǎo)體物理與器件”是研究生入學(xué)的總結(jié)性考試，該考試具有一定的綜合性，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過(guò)本科課程相應(yīng)的考試水平。
　　本文內(nèi)容整理于西北工業(yè)大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)。
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