哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院半導(dǎo)體物理Ⅱ2023年考研復(fù)試大綱已經(jīng)發(fā)布，包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結(jié)構(gòu)等重要信息，對考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院半導(dǎo)體物理Ⅱ2023年考研復(fù)試大綱的詳細(xì)內(nèi)容，供大家參考！
報考0805材料科學(xué)與工程（學(xué)科方向：10光電信息科學(xué)與工程）
科目代碼：00300
科目名稱：半導(dǎo)體物理Ⅱ
一、考試要求
要求考生系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導(dǎo)體的物理性能。要求考生對半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、p-n結(jié)理論、金屬-半導(dǎo)體接觸理論、半導(dǎo)體光電效應(yīng)等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導(dǎo)體的光電特性。
二、考試內(nèi)容
1、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導(dǎo)體理論(30分)
1）半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶
2）半導(dǎo)體中電子的運動
3）本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)
4）硅和鍺及常用化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
5）硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級
6)常用化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級
7)缺陷、位錯能級
2、載流子的統(tǒng)計分布與半導(dǎo)體的導(dǎo)電性（40分）
1）狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分
2）本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
3）一般情況下載流子統(tǒng)計分布
4）簡并半導(dǎo)體
5）載流子的漂移運動與散射機構(gòu)
6）遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
7）多能谷散射、耿氏效應(yīng)
3、非平衡載流子（30分）
1）非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命
2）準(zhǔn)費米能級
3）復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)
4）載流子的擴散、電流密度方程
5）連續(xù)性方程
4、p-n結(jié)理論和金屬-半導(dǎo)體接觸理論（40分）
1）p-n結(jié)及其能帶
2）p-n結(jié)電流電壓特性
3）p-n結(jié)電容、p-n結(jié)隧道效應(yīng)
4）金-半接觸、能帶及整流理論、歐姆接觸
5、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體光電效應(yīng)（60分）
1）半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
2）半導(dǎo)體異質(zhì)p-n結(jié)的電流電壓特性
3）半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)（光吸收和光發(fā)射）
4）半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)
5）半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
6）半導(dǎo)體發(fā)光二極管、光電二極管
三、參考書目
1）劉恩科，朱秉升，羅晉升編著，《半導(dǎo)體物理學(xué)》，電子工業(yè)出版社，2011.3
2）[美]施敏（S.M.Sze），《半導(dǎo)體器件物理》，電子工業(yè)出版社，1987.12
文章來源：哈爾濱工業(yè)大學(xué)研究生院官網(wǎng)