哈爾濱工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科2023年考研復(fù)試大綱已經(jīng)發(fā)布,包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結(jié)構(gòu)等重要信息,對考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了哈爾濱工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科2023年考研復(fù)試大綱的詳細(xì)內(nèi)容,供大家參考!
微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科2022年碩士研究生復(fù)試參考
根據(jù)教育部關(guān)于加強(qiáng)碩士研究生招生復(fù)試工作的指導(dǎo)意見及學(xué)校有關(guān)要求,微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程2022年碩士研究生招生復(fù)試指導(dǎo)確定如下。(報(bào)考0854集成電路工程方向,按本參考復(fù)試)。
一、復(fù)試比例及主要內(nèi)容
1、復(fù)試由筆試和面試兩部分組成,外國語聽力考試在面試中進(jìn)行。復(fù)試的總成績?yōu)?50分,其中筆試200分,面試150分。
2、復(fù)試筆試科目
科目代碼:00122
科目名稱:微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程復(fù)試筆試
(1)電子技術(shù),占100分。
主要內(nèi)容:
半導(dǎo)體二極管及其基本電路;半導(dǎo)體三極管及其放大電路基礎(chǔ);場效應(yīng)放大電路;集成電路運(yùn)算放大器;反饋放大電路;信號的運(yùn)算與處理電路;信號的產(chǎn)生電路;直流穩(wěn)壓電源;邏輯門電路;組合邏輯電路的分析與設(shè)計(jì);常用組合邏輯功能器件;觸發(fā)器;時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì);常用時(shí)序邏輯功能器件。
參考書目:
1.《基礎(chǔ)電子技術(shù)》,蔡惟錚主編,高等教育出版社,2004年8月第1版。
2.《集成電子技術(shù)》,蔡惟錚主編,高等教育出版社,2004年7月第1版。
(2)晶體管原理,占50分。
主要內(nèi)容:
pn結(jié)直流特性、空間電荷區(qū)和電容、pn結(jié)擊穿;雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性及功率特性;場效應(yīng)晶體管(包括結(jié)型和MOS場效應(yīng)晶體管)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性及功率特性;MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應(yīng)及擊穿特性。
參考書目:
1.《微電子器件基礎(chǔ)》蘭慕杰等編,哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2020年版。
2.《微電子技術(shù)基礎(chǔ)――雙極、場效應(yīng)晶體管原理》曹培棟編著,電子工業(yè)出版社,2001年第一版。
3.《雙極型與場效應(yīng)晶體管》武世香編,電子工業(yè)出版社,1995年版。
(3)半導(dǎo)體集成電路,占50分。
主要內(nèi)容:
集成電路中常用的器件結(jié)構(gòu)、I/V特性及其寄生效應(yīng);MOS邏輯集成電路工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì);各類MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及特性;數(shù)字集成電路自動(dòng)化設(shè)計(jì)(verilog硬件描述語言、設(shè)計(jì)綜合、設(shè)計(jì)驗(yàn)證);模擬集成電路中常用單元的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)特點(diǎn)等。
參考書目:
1.《集成電路設(shè)計(jì)》,葉以正來逢昌編,清華大學(xué)出版社,2016年版。
2.《CMOS模擬集成電路基礎(chǔ)》,王永生編著,清華大學(xué)出版社,2021年7月。
3、面試主要內(nèi)容
(1)外語聽力及口語;
(2)專業(yè)知識(shí)綜合運(yùn)用能力;
(3)科學(xué)研究基礎(chǔ)與能力;
(4)綜合表達(dá)能力;大學(xué)學(xué)習(xí)情況、學(xué)習(xí)成績及學(xué)習(xí)能力;
(5)社會(huì)實(shí)踐表現(xiàn);身心健康情況、舉止、表達(dá)和禮儀;思想素質(zhì)等。
文章來源:哈爾濱工業(yè)大學(xué)研究生院官網(wǎng)