微電子學與固體電子學考研大學排名一覽表！附研究方向

在考研之前，我們都會做一個簡單的了解，如自己感興趣的專業(yè)的考研學校排名。以微電子學與固體電子學專業(yè)為例，高頓小編整理了微電子學與固體電子學考研大學排名的有關(guān)內(nèi)容。

　　二、研究方向
　　“微電子學與固體電子學”是現(xiàn)代信息技術(shù)的內(nèi)核與支柱。本學科主要研究方向：
　　1、信息光電子學和光通訊
　　研究內(nèi)容：具有全新物理思想和創(chuàng)新性器件結(jié)構(gòu)的高效半導體激光器、高效高亮度發(fā)光管和新型中遠紅外探測器，研究光通訊、光電信號、圖象處理，研究光電探測、控制等激光、發(fā)光、紅外光電子信息技術(shù)和應(yīng)用系統(tǒng)。本方向有項目博士后流動站。
　　2、超高速微電子學和高速通信技術(shù)
　　本方向主要研究具有全新物理思想和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)超高頻（高速）器件及超高頻（高速）電路，特別是超高頻低噪聲SiGe/Si HBT、IC和光通訊、移動通訊、高速計算相關(guān)的電路和通訊應(yīng)用系統(tǒng)，具有極重要科學價值和極廣闊的應(yīng)用前景。
　　3、功率半導體器件與功率集成電路
　　本方向包括兩方面研究內(nèi)容：電力電子器件與靈巧功率集成電路研究以及微波功率半導體器件與微波集成電路研究。分別簡介如下：
　　電力電子器件與靈巧功率集成電路研究的根本用途是進行電能的變換與控制，它的應(yīng)用已滲透到通訊、機電一體化等各個領(lǐng)域。本室在從事處于國際前沿地位的研究工作，提出了不少具有國際創(chuàng)新思想的新的器件結(jié)構(gòu)和工作原理，如：新結(jié)構(gòu)的超高速雙極功率開關(guān)管、新結(jié)構(gòu)超低損耗IGBT、新結(jié)構(gòu)高速集成電路等。
　　微波功率半導體器件與微波集成電路研究是微波通訊、雷達、各種軍事電子對抗等微波設(shè)備與系統(tǒng)的心臟。本研究室正在從事著具有國際創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的新器件及集成電路的研究。
　　4、半導體器件可靠性
　　本方向從事微電子器件可靠性物理的研究（各種類型的分立半導體器件、集成電路和模塊）。可靠性被列為四大共性技術(shù)之一，是目前國際上最為活躍的研究和發(fā)展的一個領(lǐng)域。目前的研究方向主要包括四個方向：
　　VLSI/ULSI互連技術(shù)及可靠性的研究：隨著電路的高密度化、高速化，互連技術(shù)已成為VLSI/ULSI繼續(xù)向前發(fā)展的一個瓶頸。本研究室在此領(lǐng)域處于國際前沿的研究工作。
　　高速微電子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及評價技術(shù)。
　　GaN寬帶隙半導體器件的可靠性及評價技術(shù)：重點研究寬帶隙半導體材料、器件及相關(guān)的可靠性問題。
　　半導體熱測量，熱失效分析和熱設(shè)計：主要研究各種功率半導體器件、集成電路和光電子器件，各種熱測量技術(shù)（nm級區(qū)域），熱失效分析及熱設(shè)計，本研究室在這一領(lǐng)域處于國際前沿地位的研究工作。
　　5、現(xiàn)代集成模塊與系統(tǒng)集成技術(shù)
　　本方向包含兩方面研究內(nèi)容。其一是研究以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MCM（多芯片組件）為代表的現(xiàn)代集成模塊及組件：模塊和組件工作原理、設(shè)計及制作方法，封裝熱應(yīng)力設(shè)計，應(yīng)用與可靠性，系統(tǒng)測試方法和模擬設(shè)計；其二是研究半定制ASIC設(shè)計和現(xiàn)代系統(tǒng)集成技術(shù)。
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