微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研大學(xué)排名一覽表！附研究方向

在考研之前，我們都會做一個簡單的了解，如自己感興趣的專業(yè)的考研學(xué)校排名。以微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)為例，高頓小編整理了微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研大學(xué)排名的有關(guān)內(nèi)容。

　　二、研究方向
　　“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”是現(xiàn)代信息技術(shù)的內(nèi)核與支柱。本學(xué)科主要研究方向：
　　1、信息光電子學(xué)和光通訊
　　研究內(nèi)容：具有全新物理思想和創(chuàng)新性器件結(jié)構(gòu)的高效半導(dǎo)體激光器、高效高亮度發(fā)光管和新型中遠(yuǎn)紅外探測器，研究光通訊、光電信號、圖象處理，研究光電探測、控制等激光、發(fā)光、紅外光電子信息技術(shù)和應(yīng)用系統(tǒng)。本方向有項目博士后流動站。
　　2、超高速微電子學(xué)和高速通信技術(shù)
　　本方向主要研究具有全新物理思想和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)超高頻（高速）器件及超高頻（高速）電路，特別是超高頻低噪聲SiGe/Si HBT、IC和光通訊、移動通訊、高速計算相關(guān)的電路和通訊應(yīng)用系統(tǒng)，具有極重要科學(xué)價值和極廣闊的應(yīng)用前景。
　　3、功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路
　　本方向包括兩方面研究內(nèi)容：電力電子器件與靈巧功率集成電路研究以及微波功率半導(dǎo)體器件與微波集成電路研究。分別簡介如下：
　　電力電子器件與靈巧功率集成電路研究的根本用途是進(jìn)行電能的變換與控制，它的應(yīng)用已滲透到通訊、機(jī)電一體化等各個領(lǐng)域。本室在從事處于國際前沿地位的研究工作，提出了不少具有國際創(chuàng)新思想的新的器件結(jié)構(gòu)和工作原理，如：新結(jié)構(gòu)的超高速雙極功率開關(guān)管、新結(jié)構(gòu)超低損耗IGBT、新結(jié)構(gòu)高速集成電路等。
　　微波功率半導(dǎo)體器件與微波集成電路研究是微波通訊、雷達(dá)、各種軍事電子對抗等微波設(shè)備與系統(tǒng)的心臟。本研究室正在從事著具有國際創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的新器件及集成電路的研究。
　　4、半導(dǎo)體器件可靠性
　　本方向從事微電子器件可靠性物理的研究（各種類型的分立半導(dǎo)體器件、集成電路和模塊）。可靠性被列為四大共性技術(shù)之一，是目前國際上最為活躍的研究和發(fā)展的一個領(lǐng)域。目前的研究方向主要包括四個方向：
　　VLSI/ULSI互連技術(shù)及可靠性的研究：隨著電路的高密度化、高速化，互連技術(shù)已成為VLSI/ULSI繼續(xù)向前發(fā)展的一個瓶頸。本研究室在此領(lǐng)域處于國際前沿的研究工作。
　　高速微電子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及評價技術(shù)。
　　GaN寬帶隙半導(dǎo)體器件的可靠性及評價技術(shù)：重點(diǎn)研究寬帶隙半導(dǎo)體材料、器件及相關(guān)的可靠性問題。
　　半導(dǎo)體熱測量，熱失效分析和熱設(shè)計：主要研究各種功率半導(dǎo)體器件、集成電路和光電子器件，各種熱測量技術(shù)（nm級區(qū)域），熱失效分析及熱設(shè)計，本研究室在這一領(lǐng)域處于國際前沿地位的研究工作。
　　5、現(xiàn)代集成模塊與系統(tǒng)集成技術(shù)
　　本方向包含兩方面研究內(nèi)容。其一是研究以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MCM（多芯片組件）為代表的現(xiàn)代集成模塊及組件：模塊和組件工作原理、設(shè)計及制作方法，封裝熱應(yīng)力設(shè)計，應(yīng)用與可靠性，系統(tǒng)測試方法和模擬設(shè)計；其二是研究半定制ASIC設(shè)計和現(xiàn)代系統(tǒng)集成技術(shù)。
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