2024年西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理考研大綱已公布！801半導(dǎo)體物理考研大綱內(nèi)容包括半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)等。小編為大家整理出半導(dǎo)體物理考研大綱，感興趣的同學(xué)們千萬不要錯(cuò)過！
西安電子科技大學(xué)801半導(dǎo)體物理考研大綱
　　一、總體要求
　　“半導(dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識(shí)、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律的計(jì)算等。
　　二、知識(shí)要點(diǎn)
　?。ㄒ唬┌雽?dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷
　　半導(dǎo)體的分類及其特點(diǎn)，半導(dǎo)體的性質(zhì)及導(dǎo)電能力對(duì)外界因素的依賴性，半導(dǎo)體化學(xué)鍵的性質(zhì)和半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及其各向異性。
　　（二）半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
　　半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振原理與作用，Si的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果，常用元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
　　（三）半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級(jí)
　　半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷，元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)、位錯(cuò)和缺陷能級(jí)。
　?。ㄋ模┌雽?dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　　狀態(tài)密度，分布函數(shù)、Fermi能級(jí)，載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
　?。ㄎ澹┌雽?dǎo)體的導(dǎo)電性
　　載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)與熱載流子
　?。┓瞧胶廨d流子
　　非平衡狀態(tài)，非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴(kuò)散與漂移，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程
　　三、考試形式
　　1、考試時(shí)間：180分鐘。
　　2、試卷分值：150分。
　　3、考試方式：閉卷考試。
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