2024年西安電子科技大學半導體物理考研大綱已公布！801半導體物理考研大綱內容包括半導體晶體結構和缺陷、半導體中的電子狀態(tài)等。小編為大家整理出半導體物理考研大綱，感興趣的同學們千萬不要錯過！
西安電子科技大學801半導體物理考研大綱
　　一、總體要求
　　“半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關基礎理論，了解半導體性質以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體的晶體結構、半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關知識、基本概念及相關理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律的計算等。
　　二、知識要點
　　（一）半導體晶體結構和缺陷
　　半導體的分類及其特點，半導體的性質及導電能力對外界因素的依賴性，半導體化學鍵的性質和半導體的晶體結構，金剛石與閃鋅礦結構的特點及其各向異性。
　?。ǘ┌雽w中的電子狀態(tài)
　　半導體中電子狀態(tài)與能帶，半導體中的電子運動與有效質量，空穴，回旋共振原理與作用，Si的回旋共振實驗結果，常用元素半導體和典型化合物半導體的能帶結構。
　?。ㄈ┌雽w中雜志和缺陷能級
　　半導體中的雜質和缺陷，元素半導體中的雜質和缺陷能級，化合物半導體中的雜質能級、位錯和缺陷能級。
　　（四）半導體中載流子的統(tǒng)計分布
　　狀態(tài)密度，分布函數、Fermi能級，載流子統(tǒng)計分布，本征和雜質半導體的載流子濃度，補償半導體的載流子濃度，簡并半導體
　?。ㄎ澹┌雽w的導電性
　　載流子的漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，電阻率與雜質濃度和溫度的關系，強場效應與熱載流子
　?。┓瞧胶廨d流子
　　非平衡狀態(tài)，非平衡載流子的產生與復合，非平衡載流子壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，非平衡載流子載流子的擴散與漂移，愛因斯坦關系，連續(xù)性方程
　　三、考試形式
　　1、考試時間：180分鐘。
　　2、試卷分值：150分。
　　3、考試方式：閉卷考試。
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