對(duì)計(jì)算機(jī)考研組成原理考點(diǎn)還不熟悉的同學(xué)們趕緊看過(guò)來(lái)吧！小編以“動(dòng)態(tài)RAM的刷新”為例，為大家整理了有關(guān)2024計(jì)算機(jī)考研組成原理考點(diǎn)的內(nèi)容，具體如下：
2024計(jì)算機(jī)考研組成原理高頻考點(diǎn)：動(dòng)態(tài)RAM的刷新
　　一般取2ms，對(duì)動(dòng)態(tài)RAM的全部基本單元電路必作一次刷新，稱(chēng)為刷新周期，又稱(chēng)再生周期。刷新的單位是行，僅需要行地址。
　?、偌兴⑿拢涸谝?guī)定的一個(gè)刷新周期內(nèi)，對(duì)全部存儲(chǔ)單元集中一段時(shí)間逐行進(jìn)行刷新，此刻必須停止讀/寫(xiě)操作，稱(chēng)“死時(shí)間”或“死區(qū)”。(全部一起刷)
　?、诜稚⑺⑿拢簩?duì)每行存儲(chǔ)單元的刷新分到每個(gè)存取周期內(nèi)完成。優(yōu)點(diǎn)：沒(méi)有死區(qū)。缺點(diǎn)：存取周期加長(zhǎng)，整個(gè)系統(tǒng)速度降低。(一個(gè)個(gè)刷)
　　③異步刷新：是前兩種方式的結(jié)合，既縮短“死時(shí)間”，又充分利用最大刷新時(shí)間間隔為2ms的特點(diǎn)。(一行行刷)
　　一行行刷的平均刷新時(shí)間：
　　行數(shù)=芯片容量/每行存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)
　　平均刷新時(shí)間=間隔最長(zhǎng)/行數(shù)
　　本文內(nèi)容整理于網(wǎng)絡(luò)，僅供參考。
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